KMT32B 磁性 AMR 角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥，每个电桥可以测量 45 度。 平行于芯片（x-y 平面）的表面上的旋转磁场将因此提供两种独立的正弦曲线输出信号，一种按照 cos(2) 函数计算，另一种按照 sin(2) 函数计算，在传感器和磁场方向之间形成角度（参见图 2）。KMT32B 磁场传感器适合在常规磁场强度 H0 ≥ 25 kA/m 的情况下（例如，在室温下距离为 5.2 mm 时，来自 Magnetfabrik Bonn 的磁体 67.044 生成的磁场强度）高精确角度测量应用。如降低精度，KMT32B AMR 角度传感器可用于磁场强度 H0 ≥ 14 kA/m 的情况（室温下；了解地磁场产生的影响！）。大多数磁体的磁场强度随温度改变，但磁场方向不变。

特点

• 非接触式角度位移，非常适合在严苛环境下使用

• 设计优化的线性

• 高精度

• 低成本、低功耗

• 自我诊断

• 有吸引力的 SMD 封装

• 在信号估值范围内用户可完全控制

• 宽工作温度范围（-40~+150℃，160℃ 可定制）

• RoHS 认证（无铅）

产品类型特性

• 产品类型  磁性角度传感器

电气特征

• 典型工作电压 (V) 5

• 典型平均电流 (mA) 1.6

使用环境

• 传感范围 (°) 0 – 180

• 工组温度范围  -40 – 150 °C [ -40 – 302 °F ]

操作/应用

• 信号输出  无源模拟

• 典型信号振幅 (mV/V) 11

包装特性

• 封装  SO8, TDFN2.5x2.5

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