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TE位置传感器/AMR 开关传感器MEAS MS32
| 介绍： | MS32 是一款采用惠斯通桥结构的磁场传感器。 该传感器的四个电阻均采用坡莫合金制成，这种材料具有各向异性磁阻效应。 |
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MS32 是一款采用惠斯通桥结构的磁场传感器。 该传感器的四个电阻均采用坡莫合金制成，这种材料具有各向异性磁阻效应。与沿 y 轴的芯片（x-y 平面）平行的表面上存在一个单向磁场，将根据磁场提供输出信号。磁场开关点差不多与温度相互独立，通常设置为 Hs=1.85 kA/m。此外，宽磁场范围中的特征曲线呈线性。因此，新型 MS32 简化了传感器调整以适应不同的机械和磁场环境。传感器芯片采用 TDFN 封装。
特点
传感器基于固态磁阻效应
单极信号输出
线性磁场响应
高灵敏度，低磁滞
温度补偿开关点
高桥路电阻带来的低功耗
电源电压高达 30 V
小型 TDFN 封装
产品类型特性
产品类型 磁性开关传感器
电气特征
典型工作电压 (V) 5
典型平均电流 (mA) .5
使用环境
传感范围 (kA/m) 1.4 – 2.3
工组温度范围 -40 – 125 °C [ -40 – 257 °F ]
操作/应用
信号输出 无源模拟
典型信号振幅 (mV/V) 0
包装特性
封装 TDFN2.5x2.5
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